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图片仅供参考,产品以实物为准
| 文档 |
Multiple Devices 30/Jun/2006 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 45V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 600mV @ 5mA, 100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 15nA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 200 @ 2mA, 5V |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 频率转换 | 200MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 包装材料 | Tape & Box (TB) |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | NPN |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 50 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 45 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.1 A |
| 增益带宽产品fT | 200 MHz |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 200 at 2 mA at 5 V |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-92-3 (TO-226) |
| 连续集电极电流 | 0.1 A |
| 最大功率耗散 | 350 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装 | Ammo |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 寿命 | Obsolete |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 200MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 600mV @ 5mA, 100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 15nA |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 45V |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 200 @ 2mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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